Semiconductor Micro Test Solution

Innovative Core Components and Probing Solution for Probe Card

PROBE CARD SOLUTIONS

Probe Card는 반도체 디바이스의 전극에 Probe(Needle)을 Contact하고 전기적 신호를 인가하여 Wafer 상태의 Chip 불량여부를 판독하는 핵심 부품으로,
위드멤스는 독자적 MEMS공정기술을 활용하여, 메모리/시스템반도체(비메모리) 테스트 프로브카드 제작에 필요한 핵심부품과 차별화된 고정밀 테스트 솔루션을 제공하고 있습니다.

  • · 시스템반도체(비메모리) 프로브카드 : TRAMS Vertical PH(Probe Head) 및 ST 개발 및 양산공급
  • · 메모리(DRAM/NAND) 프로브카드 : 2D Blade Pin(Rh) 및 300mm Ceramic 적층RDL 개발 및 양산공급
  • · 고객 요구사양에 따른 Customized 부품개발 및 양산공급

TRAMS Vertical Probe Head

TRAMS는 Logic, SoC 등 비메모리 디바이스 테스트를 위한 독자적인 Vertical Probe Card 솔루션입니다. Free Load에 의해 Floating없이 지속적으로 ST Pad 또는 PCB Pad에
Direct Contact 함으로써 Contact 안정성이 우수하며, Low force, Low scrub, High Alignment 정밀도를 구현하고 있습니다.
자체 설계 및 MEMS 공정기술을 활용하여 Metal Housing과 Metal Spring의 Complex 구조를 동시에 일괄공정으로 제작합니다. 어플리케이션 및 요구SPEC에 따라 소재 및
디자인 변경을 통해 제품 포트폴리오를 다변화 하고 있으며, TRAMS Probe가 적용된 Vertical Probe Head 형태로 개발, 공급 대응하고 있습니다.

  • · TRAMS is a reverse of ‘SMART
  • · TRAMS is a smart and innovative MEMS vertical probing solution for Logic, SoC
  • · TRAMS is a unique brand and IP of WITHMEMS
  • · TRAMS is a unique structure that consists of a metal housing and metal spring
  • · TRAMS is designed and fabricated by In-house MEMS process
Pad Application
Bump Application
Bump Application

Terms -

Application type
- Pad contact : P
- Bump(solder/cu-pillar) : B

Available Minimum Pitch (3 or 2 digits)
- 170: 170um, 120: 120um, 80: 80um pitch
- Array Pitch

Customized Design (Special)
- Alphabet : A, B, C …
- Material Changes(Alloy), Design, CCC Improvement

※ Example : TRAMS-B80 : Min 80um Pitch Probe for bump
Specification of TRAMS
Items Pad Application Bump Application
TRAMS-P170 TRAMS-P80 TRAMS-B120 TRAMS-B80
Array Min. Pitch 170um 80um 120um 80um
In-line Min. Pitch 70um 55um 80um 55um
Min. Pad Dimension 40um 40um 40um 40um
Alignment Accuracy(X/Y) ± 5um ± 5um ± 5um ± 5um
Planarity(Z) ± 7um ± 7um ± 7um ± 7um
Operating Temperature -40~125℃ -40~100℃ -40~100℃ -40~100℃
Pin Force 2.0gf/mil 0.5-1.0gf/mil 1.5-2.0gf/mil 0.5-1.0gf/mil
Typical Overdrive 2mil(Max. 4mil) 2mil(Max. 3mil) 2mil(Max. 3mil) 2mil(Max. 3mil)
Typical Touchdown 700K 600K 700K 600K
Probe Type MEMS Vertical MEMS Vertical MEMS Vertical MEMS Vertical
Material Ni Alloy(Rh Tip) Ni Alloy(Rh Tip) Ni Alloy Ni Alloy
Tip Diameter 10 x 10um 10 x 10um 60 x 55um 36 x 33um
Body Size 230 x 44um 90 x 36um 146 x 60um 90 x 36um
Probe Length 2.7mm 2.5mm 3.0mm 2.7mm
Leakage: Pin to Ground <10nA <10nA <10nA <10nA
Min. Current per Pin 500mA 300~400mA 500mA 300~400mA
Typical Contact resistance 0.5Ω 0.5Ω 0.5Ω 0.5Ω
Max. Contact resistance <2Ω <2Ω <2Ω <2Ω
Probe Mark Dimension 14~16um 14~16um

VPC PH Assembly Procedure

Si3N4 Laser Drilling
Guide Plate Assy
TRAMS Probe Insert
Probe Card Assy

MEMS Blade Probe

자체 MEMS 공정기술을 활용하여 DRAM/NAND 프로브카드 및 CIS, DC 프로브카드에 적용되는 고정밀 MEMS Blade Probe를 개발 및 양산 공급하고 있습니다.
Rh(로듐) Tip 적용이 가능하며, CMP 및 3D AOI검사를 통해 최고 수준의 Thickness 정밀도(±1um이내) 구현이 가능합니다.
어플리케이션 및 요구SPEC에 따라 소재 및 디자인 변경을 통해 제품 Customizing이 가능합니다.

Thin-Film Multi Layer Polyimide

DRAM/NAND 프로브카드에 적용되는 대면적(300mm) 세라믹 기판(MLC)에 감광성 Polyimide 소재를 적용하여 Lithography, Electro Plating, CMP 등 핵심요소기술을 활용하여
여러 층의 내부전극회로와 Via를 연결하여 복합구조의 적층 회로기판을 제작하고 있으며, Embedded Thin Film Resist 공정은 별도 개발 중에 있습니다.

PRODUCTS

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